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| 980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺 | |
| 作者姓名： | 乔闯 苏瑞巩 房丹 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏 |
| 作者单位： | 长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 摘 要： | 为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并分析电感耦合等离子刻蚀对脊波导与腔破坏凹槽表面形貌的影响.研究结果表明,选择配比为NH_3·H_2O∶H_2O_2∶H_2O=1∶1∶50的腐蚀液进行湿法腐蚀,刻蚀速率约为7nm/s,速率容易控制.且样品表面具有较好的粗糙度和均匀性,利用电感耦合等离子刻蚀得到的脊波导与腔破坏凹槽侧壁陡直度良好,没有出现横向钻蚀的情况. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |