| 三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计 |
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| 引用本文： | 朱帅宇,谢生,陈宇.三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计[J].光子学报,2018(4). |
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| 作者姓名： | 朱帅宇 谢生 陈宇 |
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| 作者单位： | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室;中国科学院半导体研究所; |
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| 摘 要： | 设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10~(17)cm~(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10~(15)cm~(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.
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