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| 基于SiO_2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究 | |
| 引用本文： | 王鑫,赵懿昊,朱凌妮,侯继达,马骁宇,刘素平.基于SiO_2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究[J].光子学报,2018(3). |
| 作者姓名： | 王鑫 赵懿昊 朱凌妮 侯继达 马骁宇 刘素平 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;中国科学院大学; |
| 摘 要： | 为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO_2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO_2薄膜厚度、SiO_2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了SiO_2薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO_2薄膜折射率为1.447,厚度为200nm,使用GaAs盖片. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |