| 1.55μm光发射OEIC技术研究 |
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| 引用本文： | 李献杰,曾庆明,徐晓春,刘伟吉,敖金平,王全树,杨树人,赵方海,柯锡明,王志功,刘式墉,梁春广.1.55μm光发射OEIC技术研究[J].半导体光电,2002,23(1):23-25. |
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| 作者姓名： | 李献杰 曾庆明 徐晓春 刘伟吉 敖金平 王全树 杨树人 赵方海 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 |
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| 作者单位： | 1. 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北石家庄,050051;吉林大学,电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春,130023;2. 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,河北石家庄,050051;3. 吉林大学,电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春,130023;4. 东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-307-15-3-04; |
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| 摘 要： | 采用一种新的基于InP材料在0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.
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| 关 键 词： | 光发射 光电集成电路 InP |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)01-0023-03 |
| 修稿时间： | 2001年10月15日 |
Investigation on 1.55μm Light Transmitter OEIC |
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| LI Xian jie ,ZENG Qing ming ,XU Xiao chun ,LIU Wei jie ,AO Jin ping ,WANG Quan shu ,YANG Shu ren ,ZHAO Fang hai ,KE Xi ming ,WANG Zhi gong ,LIU Shi yong ,LIANG Chun guang.Investigation on 1.55μm Light Transmitter OEIC[J].Semiconductor Optoelectronics,2002,23(1):23-25. |
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| Authors: | LI Xian jie ZENG Qing ming XU Xiao chun LIU Wei jie AO Jin ping WANG Quan shu YANG Shu ren ZHAO Fang hai KE Xi ming WANG Zhi gong LIU Shi yong LIANG Chun guang |
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| Institution: | 1. State Key Lab. of ASIC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | light transmitter OEIC InP |
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