| 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析 |
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| 引用本文： | 高玮,亓东锋,韩响,陈松岩,李成,赖虹凯,黄巍,李俊.图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析[J].厦门大学学报(自然科学版),2014,53(5):699-703. |
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| 作者姓名： | 高玮 亓东锋 韩响 陈松岩 李成 赖虹凯 黄巍 李俊 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)项目，国家自然科学基金，福建省政府项目，中央高校基本科研业务经费 |
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| 摘 要： | 利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.
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| 关 键 词： | 图形化衬底 Ge/Si 有限元法 热失配 应变 |
Thermal Strain Finite-element Analysis in Ge Film on Patterned Si Substrate |
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| GAO Wei;QI Dong-feng;HAN Xiang;CHEN Song-yan;LI Cheng;LAI Hong-kai;HUANG Wei;LI Jun.Thermal Strain Finite-element Analysis in Ge Film on Patterned Si Substrate[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2014,53(5):699-703. |
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| Authors: | GAO Wei;QI Dong-feng;HAN Xiang;CHEN Song-yan;LI Cheng;LAI Hong-kai;HUANG Wei;LI Jun |
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| Institution: | GAO Wei;QI Dong-feng;HAN Xiang;CHEN Song-yan;LI Cheng;LAI Hong-kai;HUANG Wei;LI Jun;School of Physics and Mechanical & Electrial Engineering,Xiamen University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | patterned substrate Ge/Si finite element thermal mismatch strain |
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