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| 含氢非晶硅(a-Si:H)用于台面型硅变容管的钝化保护 | |
| 引用本文： | 殷晨钟,陈其宾.含氢非晶硅(a-Si:H)用于台面型硅变容管的钝化保护[J].半导体技术,1985(4). |
| 作者姓名： | 殷晨钟 陈其宾 |
| 作者单位： | 无锡无线电元件四厂 (殷晨钟)，无锡无线电元件四厂(陈其宾) |
| 摘 要： | 本文报道了用含氢非晶硅作为台面型硅变容管钝化新方法.这种方法采用SuO_2 α-SiH双层钝化膜结构.在α-Si:H淀积过程中,严格掌握衬底温度,采用相应的退火条件,以确保钝化膜的必要的稳定性.这种钝化方法能明显地降低反向漏电流,比单层SiO_2钝化可使器件成品率提高一倍左右.器件经过高温、潮湿、高温电老化、常温存放等环境试验,显示了具有高可靠性与稳定性.本文对于用SiO_2 α-Si:H的钝化机理也作了初步的探讨. |
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