| 贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究 |
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| 引用本文： | 孙娟,沈嘉年,姚书典,.贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究[J].化学学报,2006,64(7). |
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| 作者姓名： | 孙娟 沈嘉年 姚书典 |
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| 作者单位： | (上海大学材料研究所 上海 200072);(北京冶金设备研究设计总院 北京 100029) |
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| 摘 要： | 采用阳极氧化-阴极电沉积两步法: 先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO2薄膜, 接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt, Ir来制备Ti/TiO2-Pt修饰电极和Ti/TiO2-Ir修饰电极. 用XRD, SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化, 结果表明: Pt优先沉积在TiO2多孔中; 与Pt不同, Ir没有表现出在TiO2孔中优先沉积的现象, 出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO2的平带电位不同. 使用SIMS分析了在Ti/TiO2-(Pt/Ir)修饰电极中Ti, Pt, Ir的浓度分布, 大致算出TiO2薄膜厚度为750 nm左右. 由极化曲线和阻抗谱结果得出: 掺杂Pt, Ir明显改善了Ti/TiO2 电极的电催化性能, 且随着Pt沉积时间的增长, 修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高.
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| 关 键 词： | 钛阳极 电催化 掺杂 多孔薄膜 二次离子质谱 |
| 收稿时间： | 2005-9-8 |
| 修稿时间： | 2005-12-15 |
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