|
|||||
|
|
| 高能质子源靶用氢化铒薄膜制备过程影响因素 | |
| 引用本文： | 付志兵, 王朝阳, 李朝阳, 等. 高能质子源靶用氢化铒薄膜制备过程影响因素[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(08). |
| 作者姓名： | 付志兵 王朝阳 李朝阳 张厚琼 杨曦 许华 |
| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621 900 |
| 摘 要： | 采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等因素对氢化铒薄膜质量的影响。XRD结果显示,只有氢化时间超过24 h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氢化反应温度和氢气压力控制在适当范围内,使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放,可获得较完整的氢化铒薄膜。所获得的5~15 μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验,取得了良好的实验结果。 |
| 关 键 词： | 高能质子束 氢化铒薄膜 影响因素 反应温度 氢气压力 |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》下载全文 | |