| Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究 |
| |
| 引用本文： | 陈荔群,蔡志猛,周志文. Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究[J]. 光电子．激光, 2016, 27(12): 1281-1285 |
| |
| 作者姓名： | 陈荔群 蔡志猛 周志文 |
| |
| 作者单位： | 集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021;厦门华厦学院,福建 厦门 361000;厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005 |
| |
| 基金项目： | 福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目 (1.集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021； 2.厦门华厦学院,福建 厦门 361000； 3. 厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005) |
| |
| 摘 要： | 采用低温缓冲层技术,在硅(Si)衬底上生长了质量 优良的锗(Ge)薄膜。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入张应变,大小约为0. 16%。以 外延的Ge层作为吸收区,前后以Ge/空气作为分布布拉格反射镜(DBR),在Si基上制备波导共 振腔增强 型(RCE)光电探测器。测试表明,器件在－1V偏压下,暗电流密度为14.9mA/cm2；在零偏压下, 器件的响应光谱在1.3~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分 别位于1.35、 1.50μm,光响应波长范围扩展到1.6μm以上,采用传输矩阵法模拟的 响应光谱与实验测得结果近似吻合；在1.55μm入射光的照射下,测 得光响应度为21.4mA/W。
|
| 关 键 词： | 锗(Ge) 波导探测器 共振增强效应 |
| 收稿时间： | 2016-08-05 |
Fabrication and characteristics of Si-based resonant-cavity-enhanced waveguid e photodetectors |
| |
| CHEN Li-qun,CAI Zhi-meng and ZHOU Zhi-wen. Fabrication and characteristics of Si-based resonant-cavity-enhanced waveguid e photodetectors[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2016, 27(12): 1281-1285 |
| |
| Authors: | CHEN Li-qun CAI Zhi-meng ZHOU Zhi-wen |
| |
| Affiliation: | Chengyi University College,Jimei University,Xiamen 361021,China;Xiamen Huaxia University,Xiamen 361000,China;Department of Physics,Xiamen U niversity,Xiamen 361005,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | germanium (Ge) waveguide photodetector resonant enhancement effect |
|
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
