| 一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计 |
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| 引用本文： | 王 鹏,徐 青,杭 丽,付晓君.一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(6):972-976. |
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| 作者姓名： | 王 鹏 徐 青 杭 丽 付晓君 |
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| 作者单位： | Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp，Chongqing 400060，China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp，Chongqing 400060，China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp，Chongqing 400060，China and Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp，Chongqing 400060，China |
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| 摘 要： | 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计，该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制，采用特殊的线路结构，并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固，抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时，该电路工作电压可达40 V，兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入，输出峰值电流1.5 A，可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。
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| 关 键 词： | 抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺 |
| 收稿时间： | 2015/7/24 0:00:00 |
| 修稿时间： | 8/2/2015 12:00:00 AM |
A design of radiation hardening high-voltage MOSFET driver |
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| WANG Peng,XU Qing,HANG Li and FU Xiaojun.A design of radiation hardening high-voltage MOSFET driver[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2016,14(6):972-976. |
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| Authors: | WANG Peng XU Qing HANG Li and FU Xiaojun |
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