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| GaAs被动调QMd：激光器激光行性的研究 | |
| 引用本文： | 李平,孙连科.GaAs被动调QMd：激光器激光行性的研究[J].光学学报,2000,20(6):44-749. |
| 作者姓名： | 李平 孙连科 |
| 作者单位： | [1]山东大学光学系 [2]山东大学晶体材料研究所 |
| 摘 要： | 报道了用半导体材料ＧａＡｓ实现氙灯抽运Ｍｄ：ＹＡＧ激光器的被动调Ｑ运转，测量了激光器的阀值、脉冲宽度和输出能量。从ＧａＡｓ的能级结构出发，理论上研究了ＧａＡｓ材料的饱和吸收原理，建立了调Ｑ激光器速率方程并给出了数值解，对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。 |
| 关 键 词： | 被动调Q Nd：YAG激光器 激光特性 砷化缘 |
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