GaN的离子注入掺杂和隔离 |
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作者姓名: | Pear. SJ 李和委 |
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摘 要: | 在GaN中注入Si^-和Mg^+/P^+之后,在约1100℃下退火,分别形成n区和p区。每种元素的注入剂量为5×10^14cm^-2时,Si的截流子激活率为93%,Mg的是62%。相反,在原n型或p型GaN中注入N^+,然后在约750℃下退火,能形成高阻区(>5×10^9Ω/□)。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在0.8-0.9eV范围内,这些工艺参数适用于各种不同的GaN基电子和光器件。
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关 键 词: | 氮化镓 离子注入 掺杂 隔离 |
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