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| 16×0.8nmSi基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试 | |
| 作者姓名： | 李健 安俊明 王红杰 胡雄伟 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(G2000036602)和国家(69889701)资助项目 |
| 摘 要： | 叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于-17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。 |
| 关 键 词： | 光波导 波分复用/解复用器 阵列波导光栅 |
| 文章编号： | 1002-1582(2005)03-0349-02 |
| 修稿时间： | 2004-06-11 |
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