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| 一种2.8ppm/℃，高PSRR的BiCMOS电压带隙基准源 | |
| 引用本文： | 明鑫,卢杨,张波,周泽坤.一种2.8ppm/℃，高PSRR的BiCMOS电压带隙基准源[J].半导体学报,2009,30(9):095014-5. |
| 作者姓名： | 明鑫 卢杨 张波 周泽坤 |
| 摘 要： | 本文设计了一种新型的高阶补偿，高PSRR的带隙基准源。电路利用双极型晶体管反偏电流ISS和正向电流增益β的温度特性进行曲率补偿，极大简化了补偿电路的面积和功耗；引入滤波电容和电平位移结构等技术提高了电源抑制特性。基于0.6-µm BCD工艺，该基准源在典型电压3.6V下工作电流约为28µA，温度系数为2.8ppm/℃，PSRR在低频时高于80dB，电源电压从3.6V变化到5.5V时线性调整率约为50ppm/V，能广泛应用于高精度便携式设备中。 |
| 关 键 词： | 反偏电流 电流增益 曲率补偿 电平位移 滤波电容 |
| 修稿时间： | 5/4/2009 12:16:22 PM |
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