| 退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质 |
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| 引用本文： | 王海旭,冯彩玲,金锋. 退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质[J]. 发光学报, 2008, 29(6) |
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| 作者姓名： | 王海旭 冯彩玲 金锋 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院物理系,光电子技术与应用重点实验室,贵州,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ， 贵州大学研究生创新基金 |
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| 摘 要： | 用激光辐照辅助电化学刻蚀的方法加工硅锗薄膜样品,30min后,在样品表面形成了多孔状的结构,该结构在724nm处有很强的光致发光(PL)峰。将该多孔状结构的样品置于高温氧化炉中进行不同时间的退火氧化处理后,发现在不同的退火氧化条件下样品的PL光谱发生了明显的变化。通过分析,作者根据量子受限(QC)和量子限制-发光中心(QCLC)模型,建立了新的量子受限-晶体与氧化物界面态综合模型来解释样品PL发光的变化。
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| 关 键 词： | 光致发光 低维纳米结构 多孔硅锗 界面态 |
The Properties of PL in Low-dimensional Structure with Si1-xGex Formed by Annealing |
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| WANG Hai-xu,FENG Cai-ling,JIN Feng. The Properties of PL in Low-dimensional Structure with Si1-xGex Formed by Annealing[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008, 29(6) |
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| Authors: | WANG Hai-xu FENG Cai-ling JIN Feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence low-dimensional nanostructure porous SiGe interface state |
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