| 电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究 |
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| 引用本文： | 邓泽超,胡自强,丁学成,褚立志,秦爱丽,傅广生,王英龙.电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究[J].光子学报,2014(12). |
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| 作者姓名： | 邓泽超 胡自强 丁学成 褚立志 秦爱丽 傅广生 王英龙 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院;河北省光电信息材料重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划前期专项基金(No.2011CB612305);河北省自然科学基金(No.E2012201035、A2015201217);河北省高等学校科学研究项目(No.Q2012084)资助 |
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| 摘 要： | 在室温、10Pa氩气环境氛围中,引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场,采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜,衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明:晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大,且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大;薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小.
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| 关 键 词： | 纳米晶粒 成核生长动力学 脉冲激光烧蚀 外加电场 |
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