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基于晶格效应的光子晶体带隙特性研究
作者姓名:骆岩红  赵寰宇  李公平
作者单位:兰州大学核科学与技术学院;西北民族大学电气工程学院;北京交通大学工程力学研究所;
基金项目:国家自然科学基金(Nos.11302021,11202021);中央高校基本科研业务费专项资金(Nos.31920130016,2014JBM097);北京交通大学人才基金(No.2014RC001)资助
摘    要:对10种类型阿基米德晶格按不同晶格点阵进行分类,利用平面波展开法数值计算了光子晶体的能带结构,讨论归一化半径对其带隙的影响,比较了低频带隙相对宽度值.计算结果表明:单胞含多个"原子"的类正方晶格和类三角晶格光子晶体均存在TM模各向同性带隙和低频带隙,还容易产生TE模和TM模的完全带隙,进一步分析发现(32.4.3.4)晶格和(3.6.3.6)晶格打开TM模的低频第1带隙下边界值为最小;选择合适归一化半径分别为0.2和0.26,类正方晶格和类三角晶格光子晶体都能够得到较宽TM模低频带隙的最大值,(32.4.3.4)晶格和(3.6.3.6)晶格获得低频带隙为最宽.典型复式晶格空气环/硅光子晶体能够获得较宽的完全带隙.研究结果为设计新型光学器件提供了理论依据.

关 键 词:光子晶体  类正方晶格  类三角晶格  带隙  归一化半径  平面波展开法
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