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不同激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动的影响
引用本文:桂淮濛,施卫.不同激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动的影响[J].发光学报,2019,40(6).
作者姓名:桂淮濛  施卫
作者单位:陕西工业职业技术学院 信息工程学院,陕西 咸阳 712000;西安理工大学 理学院,陕西 西安 710048;西安理工大学 理学院,陕西 西安,710048
基金项目:国家重点研发计划;国家重点实验室基金;教育厅科学研究项目;陕西工业职业技术学院专项科研计划资助项目
摘    要:结合激光能量涨落对输出电脉冲涨落影响的实验,通过理论分析研究了激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动特性的影响。实验中,当外加偏置电压为2 kV时,使用波长为1 053 nm、脉宽为500 ps的激光触发GaAs光电导开关,在不同的激光能量下测试能量涨落对输出电脉冲涨落的影响,通过对比分析指出激光能量的涨落与输出电脉冲涨落成正比关系。结合对光生载流子输运过程的分析,结果表明随着激光能量涨落的增加, GaAs光电导开关时间抖动也会随之增加,直到激光能量达到GaAs饱和吸收限时,能量的涨落不会再引起开关时间抖动的迅速变化。这一结论为GaAs光电导开关应用于条纹相机中提供了理论基础。

关 键 词:GaAs光电导开关  时间抖动  能量涨落
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