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湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究
引用本文:邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新,徐现刚.湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究[J].人工晶体学报,2010,39(6):1443-1445.
作者姓名:邵慧慧  李树强  曲爽  李毓锋  王成新  徐现刚
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东华光光电子有限公司,济南,250101
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863)项目,教育部科技创新工程重大项目
摘    要:利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS).在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响.扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加.腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关.腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加.管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加.

关 键 词:湿法腐蚀  蓝宝石图形衬底  GaN  外延层  

Study on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching
SHAO Hui-hui,LI Shu-qiang,QU Shuang,LI Yu-feng,WANG Cheng-xin,XU Xian-gang.Study on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(6):1443-1445.
Authors:SHAO Hui-hui  LI Shu-qiang  QU Shuang  LI Yu-feng  WANG Cheng-xin  XU Xian-gang
Abstract:
Keywords:
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