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金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-xIn2xO3薄膜的结构及光电性能研究
作者姓名:杨帆  马瑾  孔令沂  栾彩娜  朱振
作者单位:山东大学物理学院,济南 250100
基金项目:国家自然科学基金(批准号: 50672054)资助的课题.
摘    要:采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-xIn2xO3x=01—09)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=02时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=05的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善关键词:金属有机物化学气相沉积2(1-x)In2xO3薄膜')" href="#">Ga2(1-xIn2xO3薄膜蓝宝石衬底退火

关 键 词:金属有机物化学气相沉积  Ga2(1-xIn2xO3薄膜  蓝宝石衬底  退火
收稿时间:2008-10-22
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