| 卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究 |
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| 引用本文： | 王勇刚,马骁宇,江李,林涛,刘媛媛.卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究[J].大气与环境光学学报,2003(6). |
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| 作者姓名： | 王勇刚 马骁宇 江李 林涛 刘媛媛 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083，北京 100083 |
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| 摘 要： | 通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法。
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| 关 键 词： | 卢瑟福背散射实验沟道效应 半导体可饱和吸收镜 离子注入 |
Research on Ion-implantation Defined by Rutherford Back Scattering Channel Effect During the Manufacture of Semiconductor Saturable Absorption Mirror |
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| WANG Yong-gang,MA Xiao-yu,JIANG Li,LIN Tao,LIU Yuan-yuan.Research on Ion-implantation Defined by Rutherford Back Scattering Channel Effect During the Manufacture of Semiconductor Saturable Absorption Mirror[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2003(6). |
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| Authors: | WANG Yong-gang MA Xiao-yu JIANG Li LIN Tao LIU Yuan-yuan |
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| Abstract: | By the measurement of Rutherford back scattering channel spectrum and random spectrum, a method to choose appropriate dose of ion implantation during the manufacture of semiconductor saturable absorption mirror is given. |
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| Keywords: | Rhutherford back scattering channel effect semiconductor saturable absorption mirror ion-implantation |
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