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| 无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 肖德元张汝京.无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)北大核心CSCD[J].固体电子学研究与进展,2016(3):171-182. |
| 作者姓名： | 肖德元张汝京 |
| 作者单位： | 1.上海新昇半导体科技有限公司201306; |
| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401) |
| 摘 要： | EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1 |
| 关 键 词： | 石墨烯 场效应晶体管 晶体表面 场效应管 CMOS器件 化学气相沉积 器件研究 分解方法 栅介质 黑磷 |
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