| 铝栅碱性CMP的析氢腐蚀北大核心 |
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| 引用本文： | 马欣,刘玉岭,牛新环,冯翠月.铝栅碱性CMP的析氢腐蚀北大核心[J].微纳电子技术,2016(7):483-485. |
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| 作者姓名： | 马欣 刘玉岭 牛新环 冯翠月 |
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| 作者单位： | 1.河北工业大学电子信息工程学院300130;2.天津市电子材料与器件重点实验室300130; |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)；国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037)；河北省自然科学基金资助项目(E2013202247；F2015202267) |
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| 摘 要： | 采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。
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| 关 键 词： | 铝栅 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 表面活性剂 析氢腐蚀 |
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