| 具有Al组分V型渐变电子阻挡层的深紫外LED设计与分析 |
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| 引用本文： | 赵志斌,曲轶,陈浩,乔忠良,李林,李再金,刘国军.具有Al组分V型渐变电子阻挡层的深紫外LED设计与分析[J].光电子技术,2021,41(2):99-103. |
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| 作者姓名： | 赵志斌 曲轶 陈浩 乔忠良 李林 李再金 刘国军 |
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| 作者单位： | 海南师范大学物理与电子工程学院,海口 571158;海南师范大学海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海口 571158 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;海南省科协青年科技英才创新计划;海南省重大科技项目;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国工程科技发展战略海南研究院咨询研究(19-HN-XZ-07);海南省自然基金项目;海南省高等学校科学研究项目 |
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| 摘 要： | 为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较大的驱动电流区间可以稳定地工作,提出并研究具有Al组分V型渐变P型电子阻挡层(P-EBL)结构的DUVLED.通过Cross-light APSYS软件对常规P型电子阻挡层(...
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| 关 键 词： | 深紫外发光二极管 Al组分V型渐变P型电子阻挡层 极化体电荷 电子泄漏 效率降低 |
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