| MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能 |
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| 引用本文： | 李澄,陈宏芳,吴冲,张永明,许咨宗,乐毅,邵传芬,史常忻.MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能[J].中国物理 C,2000,24(5):431-438. |
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| 作者姓名： | 李澄 陈宏芳 吴冲 张永明 许咨宗 乐毅 邵传芬 史常忻 |
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| 作者单位： | [1]中国科技大学近代物理系 [2]上海交通大学微电子技术研究所 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，， |
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| 摘 要： | 研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与60Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.
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| 关 键 词： | GaAs半导体 粒子探测器 辐照损伤 |
| 收稿时间： | 1999-2-24 |
Radiation Hardness Properties of MSM Structure Gallium Arsenide Detectors |
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| LI Cheng,CHEN HongFang,WU Chong,ZHANG YongMing,XU ZiZong,LE Yi,SHAO ChuanFen,SHI ChangXin.Radiation Hardness Properties of MSM Structure Gallium Arsenide Detectors[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2000,24(5):431-438. |
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| Authors: | LI Cheng CHEN HongFang WU Chong ZHANG YongMing XU ZiZong LE Yi SHAO ChuanFen SHI ChangXin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs semiconductor particle detectors radiation damage |
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