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Pd掺杂的纳米晶α-Fe2O3基CO敏感元件
引用本文:沈水发,林德娟,等.Pd掺杂的纳米晶α-Fe2O3基CO敏感元件[J].应用化学,2001,18(4):295-298.
作者姓名:沈水发  林德娟
作者单位:[1]福州大学化学系功能材料研究所,福州350002 [2]漳州师范
基金项目:福建省科委资助项目(98-H-13)
摘    要:采用共沉淀法制备了掺杂Pd和其它元素的纳米晶α-Fe2O3粉体,并制作了厚膜型CO敏感元件,用XRD、TEM和比表面积测定技术对合成的粉体进行了表征,考察了掺杂元素的各类和含量及焙烧温度对敏感元件的灵敏度的影响,结果表明,掺杂5%Sn^4+和1%Pd^2 ,在450℃焙烧的α-Fe2O3对CO的气敏性最佳。

关 键 词:气敏元件  掺杂    二氧化二铁  纳米晶  一氧化碳  氧化  催化活性  气敏性  共沉淀法
文章编号:1000-0518(2001)04-0295-04
收稿时间:2009-06-29
修稿时间:2000年7月10日

CO Sensor Fabricated by Pd-doped
SHEN Shui-Fa.CO Sensor Fabricated by Pd-doped[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,2001,18(4):295-298.
Authors:SHEN Shui-Fa
Abstract:
Keywords:
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