K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究 |
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引用本文: | 徐亚伯,刘凤琴.K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究[J].中国物理 C,2001,25(B12):33-38. |
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作者姓名: | 徐亚伯 刘凤琴 |
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作者单位: | [1]浙江大学物理系,杭州310027 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039 |
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摘 要: | 在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的色散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40%)的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。
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关 键 词: | K3C60 取向相变 同步辐射光电子谱 取向结构 电子结构 碳60分子 晶体结构 晶格 |
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