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| P掺杂单壁硅纳米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 周爽 刘贵立 姜艳 宋媛媛 |
| 作者单位： | 沈阳工业大学建筑与土木工程学院, 沈阳 110870 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51371049),辽宁省自然科学基金(20102173) |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论的广义梯度近似和平面波赝势方法,研究P掺杂单壁硅纳米管对Mg原子的吸附性能.计算本征、掺杂P、施加形变作用（压缩和拉伸）的（6,6）硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能,分析掺杂P前后的成键情况及电荷布局数.结果表明,掺杂P使体系形成Mg-P和Si-P间的离子性键,增强了Si-Si间的离子性键,P掺杂硅纳米管超晶格中离子键与共价键共存;掺杂P后显著提高了硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能力;硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能在0.25%,0.50%,1.00%,1.25%的压缩量和1.00%,1.25%的拉伸量时增大,可显著增强硅纳米管材料作为增强相时与基体界面间结合的粘附性. |
| 关 键 词： | 密度泛函理论 单壁硅纳米管 P掺杂 Mg原子吸附 |
| 收稿时间： | 2015-11-30 |
| 修稿时间： | 2016-03-02 |
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