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| 半导体电场敏感器件和电场传感器 | |
| 作者姓名： | 张屏英 崔吾元 朱广良 |
| 作者单位： | 西安交大半导体教研室(张屏英，崔吾元)，西安交大半导体教研室(朱广良) |
| 摘 要： | 本文介绍了用MOS工艺制作的直接栅电场敏感FET,对其敏感特性进行了实验研究和理论分析.室温下,用此器件在空气中检测电场时,在外加电场小于空气击穿场强的范围内,器件的电流-电场跨导大于2μA/(kV/cm).用直接栅FET和普通MOSFET作差分对,利用栅绝缘层上压降正比于外电场的原理,用反馈和差分放大组合电路制作电场传感器.得到了0.2V/ (kV/cm)的线性输出. |
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