| 压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱 |
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| 引用本文： | 王茺,陈平平,周旭昌,夏长生,王少伟,陈效双,陆卫.压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱[J].物理学报,2005,54(7). |
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| 作者姓名： | 王茺 陈平平 周旭昌 夏长生 王少伟 陈效双 陆卫 |
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| 摘 要： | 报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.
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| 关 键 词： | 压电调制反射光谱 单量子阱 分子束外延 |
Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well |
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| Wang Chong,Chen Ping-Ping,Zhou Xu-Chang,Xia Chang-Sheng,WANG Shao-wei,CHEN Xiao-Shuang,Lu Wei.Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well[J].Acta Physica Sinica,2005,54(7). |
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| Authors: | Wang Chong Chen Ping-Ping Zhou Xu-Chang Xia Chang-Sheng WANG Shao-wei CHEN Xiao-Shuang Lu Wei |
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