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| 自对准结构α—Si：H TFT特性的分析和研究 | |
| 引用本文： | 张少强,徐重阳.自对准结构α—Si：H TFT特性的分析和研究[J].微电子学,1995,25(5):59-62. |
| 作者姓名： | 张少强 徐重阳 |
| 摘 要： | 本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－Ｓｉ ＴＦＴ。它可以有效地提高自对准αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态ＩＯＮ，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ＞１０＾５。 |
| 关 键 词： | 非晶硅 薄膜晶体管 液晶显示器 |
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