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高压下β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
引用本文:姚倩倩,梁凯,邢美静,李实,申洁,梁凯.高压下β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2016,33(6):1087-1092.
作者姓名:姚倩倩  梁凯  邢美静  李实  申洁  梁凯
作者单位:天津师范大学物理与材料科学学院,天津师范大学物理与材料科学学院,天津师范大学物理与材料科学学院,天津师范大学物理与材料科学学院,天津师范大学物理与材料科学学院,天津师范大学物理与材料科学学院
摘    要:本文采用密度泛函理论方法对β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行了理论计算和分析.优化后的晶格常数与实验值符合良好.通过能带分析表明该晶体是一种直接带隙半导体,得出的带隙值为0.562 e V,与其他理论计算方法得出的结果接近.对介电函数的计算表明β-BaCu_2S_2是一种各向异性材料,随着压强的增大,介电函数虚部向高能区域移动,且峰值变高.计算所得静折射率的平方近似于静介电常数,与理论公式符合良好.随着压强的增加,晶体的光学常数如吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数曲线均向光子能量增大的方向移动.研究表明加压是改变β-BaCu_2S_2晶体电子结构、调制光学性质的有效手段.

关 键 词:第一性原理  β-BaCu2S2晶体  高压条件  电子结构  光学性质
收稿时间:2015/10/30 0:00:00
修稿时间:2015/11/17 0:00:00
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