| MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 徐伟中,叶志镇,周婷,赵炳辉,朱丽萍,黄靖云.MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜[J].半导体学报,2005,26(1):38-41. |
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| 作者姓名： | 徐伟中 叶志镇 周婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027
(徐伟中，叶志镇，周婷，赵炳辉，朱丽萍)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(黄靖云) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜．实验使用NO和N2O共同作为氧源，且NO同时作为掺氮源，二乙基锌作为锌源．X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性，二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜．通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×10/up18/cm－3，最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜．
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| 关 键 词： | p型 金属有机化学气相沉积 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0038-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月11日 |
MOCVD Growth of p-Type ZnO Thin Films by Using NO as Dopant Source |
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| Xu Weizhong,Ye Zhizhen,Zhou Ting,Zhao Binghui,Zhu Liping,and Huang Jingyun.MOCVD Growth of p-Type ZnO Thin Films by Using NO as Dopant Source[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):38-41. |
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| Authors: | Xu Weizhong Ye Zhizhen Zhou Ting Zhao Binghui Zhu Liping and Huang Jingyun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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