| 应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术 |
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| 引用本文： | 戴显英,张鹤鸣,王伟,胡辉勇,吕懿,舒斌.应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术[J].半导体学报,2003,24(9):946-950. |
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| 作者姓名： | 戴显英 张鹤鸣 王伟 胡辉勇 吕懿 舒斌 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
(戴显英，张鹤鸣，王伟，胡辉勇，吕懿)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(舒斌) |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (No .99JS0 9.3.1DZ0 111)~~ |
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| 摘 要： | 在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1 -xGex 材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1 -xGex 材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证
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| 关 键 词： | Si_(1-x)Ge_x材料 四探针 电阻率 掺杂浓度 迁移率模型 表征 |
Characterization of Doping Concentration for Strained Si_(1-x)Ge_x Material |
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| Abstract: | The relation between the resistivity and the dopi ng concentration with the different Ge composition was obtained based on a new majority carrier mobility model of the strained Si 1-xGe x material.According to this relation,the doping concentration of the strained Si 1-x Ge x can be measured using a collinear four-probe array.The experimental results have a good reliability and reproducibility.The characterization technique is compatible with the on-line measure of the doping concentrations of Si and much more simple and convenient. |
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| Keywords: | Si 1-xGe x material four-probe array resistivity doping concentration mobility model characterization |
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