| 不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究 |
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| 引用本文： | 王秀敏,徐新龙,杨玉萍,施宇蕾,李福利,汪力,张希成,Hyun-Shik Kang,Tae-Kyu Kim. 不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究[J]. 物理学报, 2004, 53(4) |
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| 作者姓名： | 王秀敏 徐新龙 杨玉萍 施宇蕾 李福利 汪力 张希成 Hyun-Shik Kang Tae-Kyu Kim |
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| 基金项目： | 中国科学院引进国外杰出人才基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zno95Cd0.05Te<110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ＞102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ＞106Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变化对晶体的THz辐射性能也有重要的影响.因此,当ZnCdTe晶体用于THz辐射产生和探测时,仅仅用材料的Hall电阻率不能完全表征器件的性能.
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| 关 键 词： | THz ZnCdTe 时域光谱 |
Study of differently doped Zn0.95Cd0.05Te〈110〉single crystals as THz emitters |
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