用MOCVD生长GaAs、GaAlAs的研究

本文用自制的TMGa、TMAl和外延设备研究了MOCVD生长GaAs、Ga-AlAs,并用SiH_4进行了n型掺杂实验。分析了生长条件对GaAs外延层生长速率和电学参数及GaAlAs中Al组分和As组分的影响。用SiH_4掺杂的GaAs的载流子浓度及GaAlAs中的Al组分均可自由调节。用GaAlAs作缓冲层、GaAs作有源层制得了直流跨导g_m为160mS/mm的MESFET器件。