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碘在玻碳汞膜电极上的伏安行为及应用
引用本文:宋远志.碘在玻碳汞膜电极上的伏安行为及应用[J].理化检验(化学分册),2005,41(11):823-825,828.
作者姓名:宋远志
作者单位:淮阴师范学院,化学系,淮安,223001
基金项目:国家青年自然科学基金资助(20302002);江苏省教育厅自然科学基金项目(04KJDl50038)
摘    要:研究了碘化合物在玻碳汞膜电极上的伏安行为,碘酸根分别于-1220mV,-1162mV和-1270mV(vs.SCE)出现0~二阶伏安峰,并得到了扩散系数D0和电子传递速率常数ks。食品烹调中碘的存在形式受到溶液pH和共存物影响。无抗坏血酸存在且pH≥2.40时,加入的IO3^-在食品中转化为I^-,当pH〈2.40时,则以I2形式存在,当抗坏血酸共存时,则以I^-形式存在。

关 键 词:  玻碳汞膜电极  电化学行为
文章编号:1001-4020(2005)11-0823-03
收稿时间:2004-01-23
修稿时间:2004-01-23

VOLTAMMETRIC BEHAVIOR OF IODINE AT GLASSY CARBON MERCURY MEMBRANE ELECTRODE AND ITS APPLICATIONS
SONG Yuan-zhi.VOLTAMMETRIC BEHAVIOR OF IODINE AT GLASSY CARBON MERCURY MEMBRANE ELECTRODE AND ITS APPLICATIONS[J].Physical Testing and Chemical Analysis Part B:Chemical Analgsis,2005,41(11):823-825,828.
Authors:SONG Yuan-zhi
Abstract:
Keywords:Iodine  Glassy carbon mercury membrane electrode  Electrochemical behavior
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