| Ⅰ-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性 |
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| 引用本文： | 邓书康,唐新峰,熊聪,张清杰.Ⅰ-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性[J].半导体学报,2007,28(4). |
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| 作者姓名： | 邓书康 唐新峰 熊聪 张清杰 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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高校科技创新工程项目 |
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| 摘 要： | 用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2).
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| 关 键 词： | Ⅰ-型笼合物 Seebeck系数 电导率 |
Synthesis and Electrical Transmission Characteristics of Type-Ⅰ Ba8Ga16ZnxSi30-x Clathrates |
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| Deng Shukang,Tang Xinfeng,Xiong Cong,Zhang Qingjie.Synthesis and Electrical Transmission Characteristics of Type-Ⅰ Ba8Ga16ZnxSi30-x Clathrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4). |
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| Authors: | Deng Shukang Tang Xinfeng Xiong Cong Zhang Qingjie |
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