| 多孔硅内部残余应力的研究 |
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| 引用本文： | 田斌,胡明,崔梦,雷振坤,亢一澜.多孔硅内部残余应力的研究[J].压电与声光,2005,27(1):47-49. |
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| 作者姓名： | 田斌 胡明 崔梦 雷振坤 亢一澜 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学,电子信息工程学院电子科学与技术系,天津,300072
2. 天津大学,机械学院力学系,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60071027，60371030)，天津市自然科学基金资助项目(023603811)。 |
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| 摘 要： | 多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力，在裂纹的中心部位拉伸应力可达到o．92GPa，导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹，多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长．随着刻蚀时间的增加，多孔硅孔隙率增加，拉伸应力进一步增加．正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象．
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| 关 键 词： | 多孔硅 化学刻蚀 孔隙率 残余应力 微裂纹 |
| 文章编号： | 1004-2474(2005)01-0047-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月31日 |
Studies of Residual Stress in Porous Silicon |
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| TIAN Bin,HU Ming,CUI Meng,LEI Zhen-kun,KANG Yi-lan.Studies of Residual Stress in Porous Silicon[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(1):47-49. |
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| Authors: | TIAN Bin HU Ming CUI Meng LEI Zhen-kun KANG Yi-lan |
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| Institution: | TIAN Bin~1,HU Ming~1,CUI Meng~1,LEI Zhen-kun~2,KANG Yi-lan~2 |
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| Abstract: | A large tension stress is formed in the formation of porous silicon which can reach 0.92 GPa in the middle of the microcrack. This stress make the microcracks at the brittle crystal boundaries and the porous silicon is formed between these microcracks. With the increasing of time, the porosity of porous silicon also increases. And the tensile stress become larger and larger. That is this residual make the appearance of the crack phenomenon. |
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| Keywords: | porous silicon chemically etching porosity residual stress microcrack |
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