| 调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响 |
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| 引用本文： | 桂林,左健存,邵宇丰,孙秋冬,王胜利,周志彬. 调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响[J]. 光子学报, 2016, 0(5): 69-74. DOI: 10.3788/gzxb20164505.0523003 |
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| 作者姓名： | 桂林 左健存 邵宇丰 孙秋冬 王胜利 周志彬 |
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| 作者单位： | 1. 上海第二工业大学计算机与信息工程学院,上海,201209;2. 上海第二工业大学文理学部,上海,201209;3. 湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙,410081 |
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| 基金项目： | 上海第二工业大学校基金项目(Nos.EGD14XQD03;EGD16XQD07)、上海第二工业大学校级重点学科(No.XXKZD1302)和湖南省自然科学基金(No.11JJ6053)资助，The National Natural Science Foundation of Hunan Province(No.11JJ6053) |
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| 摘 要： | 针对基于马赫-曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题,采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型,通过数值仿真方法,研究了上下两臂对称和不对称两种情况下,调制损耗对硅基光调制器非线性的影响.对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型,发现在常规大信号情况下,当光调制器偏置相位为0时,调制损耗使得三次谐波增强,四次谐波减弱;当光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗使得二次和四次谐波增强;而在小信号情况下,三次和四次等高次谐波不明显,在光调制器偏置相位为0时,调制损耗在光调制器上下两臂不对称情况下增加了基频分量串扰;在光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗的影响主要表现为增加了二次谐波分量.
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| 关 键 词： | 硅光子学 光调制器 非对称马赫-曾德干涉仪结构 非线性 光通信 |
The Influence of Modulating Loss on the Nonlinear Property of the MZI-based Optical Silicon Modulator |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon photonics Optical modulator Asymmetric Mach-Zehnder interferometer structure Nonlinearity Optical communication |
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