| 高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件 |
| |
| 引用本文： | 王巍,鲍孝圆,陈丽,徐媛媛,陈婷,王冠宇.高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件[J].光子学报,2016(8):150-155. |
| |
| 作者姓名： | 王巍 鲍孝圆 陈丽 徐媛媛 陈婷 王冠宇 |
| |
| 作者单位： | 重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.61404019)资助，The National Natural Science Foundation of China (No.61404019) |
| |
| 摘 要： | 基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p+n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明:所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W.
|
| 关 键 词： | 单光子雪崩二极管 标准0.35 μm CMOS工艺 保护环 深n阱 响应度 3 dB带宽 光子探测效率 |
A CMOS Single Photon Avalanche Diode Device with High Photon Detection Efficiency |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Single photon avalanche diode Standard 0 35 μm CMOS process Guard ring Deep n-well structure Responsivity 3 dB bandwidth Photon detection efficiency |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
