CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能 |
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引用本文: | 李磊,刘宪云,钱忠建,江兴方.CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能[J].光子学报,2016(2):164-168. |
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作者姓名: | 李磊 刘宪云 钱忠建 江兴方 |
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作者单位: | 常州大学数理学院,江苏常州,213164 |
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摘 要: | 通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面板具应用前景.
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关 键 词: | 纳米材料 CoSb3 低压化学气相沉积 热电性 半导体 |
Fabrication and Thermoelectric Performance of CoSb3 Nanoparticle Films |
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Abstract: | |
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Keywords: | Nanomaterials CoSb3 Low pressure chemical vapor deposition Thermoelectric properties Semiconductors |
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