| 1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长 |
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| 引用本文： | 段子刚,柴广跃.1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长[J].光子学报,2010,39(8). |
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| 作者姓名： | 段子刚 柴广跃 |
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| 作者单位： | 深圳大学,教育部广东省光电子器件与系统重点实验室,广东,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 国家国际科技合作计划 |
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| 摘 要： | 基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
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| 关 键 词： | 异质结 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化 |
Design and Epitaxy of the Material for a 1 550 nm PNP InGaAsP-InP Heterojunction Bipolar Transistor Laser |
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| DUAN Zi-gang,CHAI Guang-yue.Design and Epitaxy of the Material for a 1 550 nm PNP InGaAsP-InP Heterojunction Bipolar Transistor Laser[J].Acta Photonica Sinica,2010,39(8). |
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| Authors: | DUAN Zi-gang CHAI Guang-yue |
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