| 以BCB为介质层的圆片级三维多芯片封装结构研究 |
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| 引用本文： | 耿菲,丁晓云,徐高卫,罗乐.以BCB为介质层的圆片级三维多芯片封装结构研究[J].半导体学报,2009,30(10):106003-6. |
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| 作者姓名： | 耿菲 丁晓云 徐高卫 罗乐 |
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| 摘 要： | 研究了一种新型的圆片级三维多芯片封装结构，该结构以BCB为介质层，体硅工艺加工的硅片为基板，适合于毫米波射频元器件的封装与应用。结构中包含多层BCB介质层和金属布线，同时可以集成射频芯片，薄膜电阻，可变电容等有源和无源元件。封装过程中，射频芯片埋置在接地金属化的硅腔体中，利用热压焊凸点技术和化学机械抛光（CMP）实现多成金属布线间的层间互连。BCB介质层的涂覆、固化和抛磨对封装结构的性能影响较大，为了在进行CMP工艺和多层布线工艺之前得到高质量的BCB介质层，对BCB的固化曲线进行了优化，改进后的BCB介质层在经过CMP工艺后，能够得到光滑可靠的抛磨表面，不易产生质量缺陷，表粗糙度能够控制在10nm以内，利于BCB表面的金属布线工艺。同时，对加工完成的封装结构的力学、热学和射频传输性能进行了测试，结果显示：互连金凸点的剪切力达到70 N/mm2，优化后封装结构的热阻可以控制在2℃/W以内，在工作频段内，测试用低噪放大器的S参数变化很小，插入损耗的变化小于1db，回波损耗在10~15GHz的范围内，低于-8db，满足设计要求。
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| 关 键 词： | 圆片级，BCB，硅基埋置，射频应用 |
| 收稿时间： | 2/17/2009 4:47:50 PM |
| 修稿时间： | 5/13/2009 9:53:15 AM |
A wafer-level 3D packaging structure with Benzocyclobutene as a dielectric for multichip module fabrication |
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| Geng Fei,Ding Xiaoyun,Xu Gaowei and Luo Le.A wafer-level 3D packaging structure with Benzocyclobutene as a dielectric for multichip module fabrication[J].Chinese Journal of Semiconductors,2009,30(10):106003-6. |
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| Authors: | Geng Fei Ding Xiaoyun Xu Gaowei and Luo Le |
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| Institution: | Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China; State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China; State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer-level benzocyclobutene embedded MMIC and passives RF application |
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