| 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性 |
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| 引用本文： | 彭英才,康建波,马蕾,张雷,王侠,范志东.掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性[J].人工晶体学报,2008,37(2):471-475. |
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| 作者姓名： | 彭英才 康建波 马蕾 张雷 王侠 范志东 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083
2. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 中国科学院重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征.结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9 × 1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜.样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善.利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻.并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响.
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| 关 键 词： | LPCVD nc-poly-si(B)薄膜 结构特征 热退火 电学性质 |
| 文章编号： | 1000-985X(2008)02-0471-04 |
| 修稿时间： | 2007年6月22日 |
Structural Characteristics and Electrical Properties of the Boron-doped Nanograin Polysilicon Thin Films |
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| PENG Ying-cai,KANG Jian-bo,MA Lei,ZHANG Lei,WANG Xia,FAN Zhi-dong.Structural Characteristics and Electrical Properties of the Boron-doped Nanograin Polysilicon Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):471-475. |
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| Authors: | PENG Ying-cai KANG Jian-bo MA Lei ZHANG Lei WANG Xia FAN Zhi-dong |
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