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| 注~(31)P~ 硅片损伤层的喇曼光谱术研究 | |
| 引用本文： | 劳浦东 ,邬建根 ,屈逢源.注~(31)P~ 硅片损伤层的喇曼光谱术研究[J].复旦学报(自然科学版),1984(3). |
| 作者姓名： | 劳浦东 邬建根 屈逢源 |
| 摘 要： | 离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格损伤.因此,检测离子注入半导体中的晶格损伤具有重要的应用意义.检测离子注入后半导体中损伤层的方法已有多种,其中传统的方法包括背散射沟道方法和顺磁共振方法,在光学手段中包括反射率方法和椭圆偏振方法,1974年,法国的J.C.Bour- |
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