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| TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性 | |
| 引用本文： | 王志高,曾雄辉,牛牧童,邱永鑫,蔡德敏,王建峰,徐科,张锦平.TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性[J].电子显微学报,2012,31(1):7-12. |
| 作者姓名： | 王志高 曾雄辉 牛牧童 邱永鑫 蔡德敏 王建峰 徐科 张锦平 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123;中国科学院半导体研究所,北京100083;中国科学院研究生院,北京100049 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州,215123 3. 苏州纳维科技有限公司,江苏苏州,215123 4. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123;苏州纳维科技有限公司,江苏苏州215123 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.51002179);江苏省科技项目-基础研究计划(自然科学基金)-企业博士创新项目(No.BK2009595) |
| 摘 要： | 纤锌矿（WZ）/闪锌矿（ZB）结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL（阴极荧光谱）准原位表征的方法,对GaN纳米线的各种结构进行了系统的表征,并且建立了材料纳米结构与对应发光性质之间的直接联系。研究发现相对于纯WZ结构的GaN单根纳米线,具有WZ/ZB结构纳米线的CL出现了蓝移。通过对CL发光谱的蓝移现象的分析和研究表明,蓝移是由于高密度的WZ/ZB结构单元及其各种超结构所引起的特殊效应。 |
| 关 键 词： | 透射电子显微镜 阴极荧光谱 GaN 纳米线 |
Quasi-in-situ study of wurtzite/zinc-blende GaN nanowires by TEM and cathodoluminescence |
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| WANG Zhi-gao , ZENG Xiong-hui , NIU Mu-tong , QIU Yong-xin , CAI De-min , WANG Jian-feng , XU Ke , ZHANG Jin-ping.Quasi-in-situ study of wurtzite/zinc-blende GaN nanowires by TEM and cathodoluminescence[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2012,31(1):7-12. | |
| Authors: | WANG Zhi-gao ZENG Xiong-hui NIU Mu-tong QIU Yong-xin CAI De-min WANG Jian-feng XU Ke ZHANG Jin-ping |
| Institution: | 1(1.Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics(SINANO),Chinese Academy of Sciences,Suzhou Jiangsu 215123; 2.Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083;3.Graduate University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049;4.Suzhou Nanowin Science and Technology Co.,Ltd.(NANOWIN), Suzhou Jiangsu 215123,China) |
| Abstract: | The wurtzite/zinc-blende heterostructures universally exist in one dimensional Ⅲ-Ⅴ semiconductors.Based on the quasi-in-situ characterization of individual GaN nanowires by cathodoluminescence coupled with TEM,the correlation between the structural and optical properties has been figured out.The cathodoluminescence spectra of wurtzite/zinc-blende nonperiodic superlattices exhibit blue-shift in comparison with nearly 100% wurtzite GaN.The appreciably larger band-gap is probably attributed to the quantum confined effect of the ultra-high density of wurtzite/zinc-blende regions. |
| Keywords: | TEM CL GaN nanowire |
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