| GaN:Zn发光的显微观察 |
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| 引用本文： | 李晴棉 李奉民. GaN:Zn发光的显微观察[J]. 发光学报, 1995, 16(4): 330-336 |
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| 作者姓名： | 李晴棉 李奉民 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 长春 130021;3. 沈阳工业大学, 沈阳 110021 |
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| 摘 要： | 利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。
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| 关 键 词： | GaN:Zn 发光 |
| 收稿时间： | 1994-04-25 |
| 修稿时间： | 1995-05-09 |
SCANNING ELECTROMICROSCOPY AND LUMINESCENCE STUDY OF GaN: Zn |
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| Li Qingmian,Xu Mai. SCANNING ELECTROMICROSCOPY AND LUMINESCENCE STUDY OF GaN: Zn[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995, 16(4): 330-336 |
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| Authors: | Li Qingmian Xu Mai |
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| Affiliation: | 1. Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021;2. Laboratory of Excited State Processes, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021;3. Shenyang Colledge of Science and Technology, Shenyang 110021 |
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| Abstract: | he surface topography,concentrition distribution of doped Zn ions and microregion cathodo luminescence in GaN:Zn epitaxial films were studied.The results show that four types of zincic luminescence centres can exist in GaN epitaxial films,depending on the crystal structures and Zn concentrition of micro-region. |
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| Keywords: | GaN Zn luminescence |
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