半导体硅的仪器中子活化分析

本文应用中子活化分析的相对法和单一比较器法,对各种不同工艺生产的半导体硅中的杂质元素进行了研究。同时用理论的和实验的K值以及相对法,研究了中子活化分析的单一比较器法的可靠性。应用这两种方法测定了半导体硅中的8种主要杂质元素,并计算了其探测极限。