| 镨掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ电子结构的XPS研究 |
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| 引用本文： | 李俊,冯双久.镨掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ电子结构的XPS研究[J].中国稀土学报,2006,24(Z1):144-147. |
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| 作者姓名： | 李俊 冯双久 |
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| 作者单位： | 安徽大学物理与材料科学学院信息材料与器件重点实验室,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 安徽大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 研究了Pr掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ体系的X射线光电子能谱,发现随着体系中Pr掺杂量的增大,内层电子结合能有缓慢增大的趋势,但掺杂量达到0.6时,测得的电子结合能减少0.4 eV左右,与分析材料中费米能级变化引起的结合能变化趋势相反.考虑到掺杂量达到0.6时,材料发生金属-绝缘体转变,所得到的表观结合能减少可能是绝缘体样品相对于样品底座存在正的电势差所引起的.
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| 关 键 词： | 辉钴矿 结合能 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343(2006)-0144-04 |
| 修稿时间： | 2006年4月14日 |
XPS Investigation of Electronic Structure in Pr-Doped Bi2Sr3Co2O9+δ System |
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| Li Jun,Feng Shuangjiu.XPS Investigation of Electronic Structure in Pr-Doped Bi2Sr3Co2O9+δ System[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2006,24(Z1):144-147. |
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| Authors: | Li Jun Feng Shuangjiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XPS |
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